IRF540NSTRLPBF vs IRF540 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de IRF540NSTRLPBF por Infineon e IRF540 por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | IRF540NSTRLPBF | IRF540 |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | STMicroelectronics |
| Categoria | MOSFETs | MOSFETs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $0,74 | $0,55 |
| Tipo de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | Avalanche-rugged power MOSFET |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C | 33 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | 110 A (per datasheet pulse curve) | — |
| On-Resistance Rds(on) max at Vgs=10V | 44 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage Vgs(th) | 2.0 V to 4.0 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 47.3 nC (typical) | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc=25C | 130 W | — |
| Faixa de temperatura de operação | -55 C to +175 C | — |
| Encapsulamento | D2PAK (TO-263), surface mount | TO-220 (through hole) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Through Hole |
| Packaging | Tape & Reel (13-inch reel) | — |
| Status RoHS | Compliant (Pb-free) | unknown |
| Avalanche Energy Rated | Yes (HEXFET ruggedized) | — |
| FET Type | — | N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 22 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 85 W (Tc) |
| RDS(on) Typical | — | 0.050 Ohm |
| RDS(on) Maximum at 10 V Gate Drive | — | 77 mOhm (family typ.) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Total Gate Charge] |
| Temperatura de junção de operação | — | -55C to +175C |
| Avalanche Rating | — | Repetitive avalanche rated, 100% avalanche tested, data at 100C |
| Configuration | — | Single |
| Gate Drive Recommendation | — | 10 V for full enhancement |