IRF540ZPBF vs IRF1310NPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF540ZPBF par Infineon et IRF1310NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF540ZPBF | IRF1310NPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,98 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Part Number | IRF540ZPBF | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (N-Channel DMOS) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | [DATA_NEEDED: V_GS maximum rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] | — |
| On-Resistance R_DS(on) max at V_GS=10V | 26.5 mOhm | — |
| Total Gate Charge (Q_g) | 42 nC | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25C | 92 W | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | 175 C |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole, 3-lead) | TO-220AB (through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | Yes | — |
| Automotive Qualified | Yes (per datasheet description) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 42 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM value] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V | — | 36 mOhm |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 73.3 nC |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs value] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd value] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 160 W |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 C to +175 C |