IRF640NPBF vs IRLR2905TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF640NPBF par Infineon et IRLR2905TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF640NPBF | IRLR2905TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,88 | $0,61 |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 200 V | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 18 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | — |
| Static Drain-to-Source On-Resistance (RDS(on)) | 150 mOhm max at VGS = 10 V | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 150 W | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg) | 44.7 nC | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +150C | -55C to +175C |
| Technology | HEXFET (5th Generation) | HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) |
| Type de transistor | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Boîtier | TO-220AB (through-hole, 3-pin) | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Through Hole | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes | — |
| dv/dt Rating | Dynamic, rated | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | — |
| FET Type | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 42 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 27 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Gate Charge (Qg) | — | 32 nC |
| Avalanche Rated | — | Yes |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes / Compliant |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Gate Drive | — | Logic-level compatible |