IRF7105TRPBF vs IRF7341GTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7105TRPBF par Infineon et IRF7341GTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7105TRPBF IRF7341GTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,30 $0,76
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Series IRF7105 (HEXFET Fifth Generation) —
Polarity / Configuration N-Channel + P-Channel, dual MOSFET in one package —
Drain-to-Source Voltage (Vds) 25 V —
Continuous Drain Current - N-channel (Id, N-ch) 3.5 A —
Continuous Drain Current - P-channel (Id, P-ch) 2.3 A —
Rds(on) Maximum 100 mOhm —
Technology HEXFET (IR MOSFET, fifth generation) IR HEXFET Planar MOSFET
Boîtier 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Total Package Power Dissipation (Pd) 2 W —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: junction temperature range] -55 C to +175 C
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] —
Packaging Form Tape & Reel (TR) —
Lead-Free / RoHS Status Pb-free (PBF suffix), RoHS compliant —
Nombre de broches 8 —
Drain-Source Voltage (VDS) — 55 V
Continuous Drain Current (ID) — 5.1 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 50 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) — 2.4 W
Maximum Junction Temperature — 175 C
Configuration — Dual N-Channel
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss typical]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg typical]
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes (PBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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