IRF7309TRPBF vs IRFR9024NTRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7309TRPBF par Infineon et IRFR9024NTRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7309TRPBF IRFR9024NTRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,35 $0,17
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (Gen 5)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (TJ) —
Boîtier 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Courant de drain pulsé — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Nombre de broches — 3

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis