IRF7309TRPBF vs IRFR9024NTRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7309TRPBF por Infineon e IRFR9024NTRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7309TRPBF IRFR9024NTRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,35 $0,17
Configuration Dual N-Channel + P-Channel (Complementary) —
Polarity N+P P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) 4 A —
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) 3 A —
On-Resistance (N-channel, max) 50 mOhm —
On-Resistance (P-channel, max) [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value] —
Power Dissipation (TA=25C) 1.4 W —
Technology IR HEXFET Generation V HEXFET (Gen 5)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
Faixa de temperatura de operação -55C to +150C (TJ) —
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) TO-252AA (DPAK)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020) —
Lead-Free Status Yes (TRPBF suffix = Pb-free) —
Status RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
Continuous Drain Current (Tc=25C) — -11 A
Corrente de dreno pulsada — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
VGS (Gate-Source Voltage) — ±20 V
VGS(th) (Threshold Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
RDS(on) Max at VGS=-10V — 175 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 12.7 nC
Maximum Power Dissipation (Tc=25C) — 38 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +175C
Contagem de pinos — 3

Fichas técnicas e recursos

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