IRF7313TRPBF vs IRF7907TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7313TRPBF par Infineon et IRF7907TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7313TRPBF IRF7907TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,43
Manufacturer Infineon (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7313TRPBF —
Technology IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation) IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench)
Transistor Configuration Dual N-Channel (Independent) —
Drain-Source Voltage (VDS) max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) max 6.5 A per channel —
On-Resistance (RDS(on)) max 29 mOhm at VGS=10V —
Power Dissipation (PD) max 2 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: ±V rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1.0 V to 2.5 V (typical range) —
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8) surface mount 8-SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / Pbf Yes (lead-free plating) —
Avalanche Rated Yes —
Niveau MSL 1 —
Qualification Standard Consumer market (per IR datasheet) —
Shipping Media Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 9.1 A per channel at 25 C
Pulsed Drain Current (IDM) Max — 11 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 11.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V (typ)
Total Power Dissipation (PD) Max — 2 W
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Statut RoHS — Compliant
Channel Polarity — N-Channel (both)

Fiches techniques et ressources

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