IRF7342TRPBF vs IRF7342PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7342TRPBF par Infineon et IRF7342PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7342TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,89 |
| Part Number | IRF7342TRPBF | IRF7342PBF |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (Fifth Generation), P-Channel | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Configuration | Dual P-Channel MOSFET Array (two independent P-FETs in one package) | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) | -3.4 A at 25 C | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | -1.0 V to -3.0 V (typ -1.7 V) | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 0.105 ohm max at VGS = -10 V | — |
| Maximum Power Dissumption (Pd) | 2 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +150 C (Tj) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 8-SOIC (SO-8), surface mount | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TR) | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix indicates lead-free, RoHS compliant) | — |
| Channel Type | P-Channel (enhancement mode) | — |
| Number of Channels | 2 (dual array) | — |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| Boîtier / Format | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |