IRF7343TRPBF vs IRF7313TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7343TRPBF par Infineon et IRF7313TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7343TRPBF IRF7313TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,27
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) Infineon (formerly International Rectifier)
Part Status Active —
Type de transistor N and P-Channel Complementary MOSFET Array —
Technology IR MOSFET (HEXFET Generation V) IR MOSFET Generation V (HEXFET Fifth Generation)
Drain-to-Source Voltage (VDS) - N-Channel 55 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) - P-Channel 55 V —
Continuous Drain Current (ID) - N-Channel 4.7 A —
Continuous Drain Current (ID) - P-Channel 3.4 A —
On-Resistance (RDS(on)) - N-Channel 0.043 ohm (typical per chipdig.com) —
On-Resistance (RDS(on)) max 50 mOhm 29 mOhm at VGS=10V
Power Dissipation (PD) 2 W —
Boîtier 8-SOIC (SO-8) 8-pin SOIC (SO-8) surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Lead-Free Yes —
RoHS Compliance Compliant —
Part Number — IRF7313TRPBF
Transistor Configuration — Dual N-Channel (Independent)
Drain-Source Voltage (VDS) max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) max — 6.5 A per channel
Power Dissipation (PD) max — 2 W
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: ±V rating]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.0 V to 2.5 V (typical range)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +150C (junction)
Lead-Free / Pbf — Yes (lead-free plating)
Avalanche Rated — Yes
Niveau MSL — 1
Qualification Standard — Consumer market (per IR datasheet)
Shipping Media — Tape & Reel (TRPBF suffix)

Fiches techniques et ressources

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