IRF7389TRPBF vs IRF7342PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7389TRPBF par Infineon et IRF7342PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7389TRPBF | IRF7342PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,58 | $0,89 |
| Transistor Polarity | N and P Channel | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 30 V | — |
| Continuous Drain Current (N-Ch, Id) | 7.3 A | — |
| Continuous Drain Current (P-Ch, Id) | -5.3 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 29 mOhm | — |
| Power Dissipation (Pd) | 2.5 W | — |
| Configuration | Dual N+P Complementary Half-Bridge | Dual P-Channel (2 independent MOSFETs) |
| Technology | HEXFET Generation V (IR MOSFET) | HEXFET (Gen V) - P-Channel MOSFET Array |
| Boîtier | 8-SO (SOIC-8) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | -55C to +150C | — |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Lead Free / RoHS | Lead Free / RoHS Compliant | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Manufacturer | Infineon (formerly International Rectifier) | Infineon Technologies |
| Part Number | — | IRF7342PBF |
| Original Mfr | — | International Rectifier (now Infineon) |
| Drain-Source Voltage V(DSS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current I(D) | — | 3.4 A |
| On-Resistance R(DS(on)) | — | 0.105 ohm |
| Power Dissipation P(D) | — | 2 W |
| Boîtier / Format | — | 8-SOIC (SO-8) |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Gate Threshold Vgs(th) | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th)] |
| Switching Frequency Optimization | — | < 100 kHz |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Halogen Status | — | Halogen-Free |
| Qualification | — | JEDEC standard |