IRF7832TRPBF vs IRF7309TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7832TRPBF par Infineon et IRF7309TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7832TRPBF IRF7309TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,92 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR HEXFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +150 C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Boîtier 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Polarity — N+P
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

Fiches techniques et ressources

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