IRF7832TRPBF vs IRF7309TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7832TRPBF por Infineon e IRF7309TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7832TRPBF IRF7309TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,92 $0,35
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Part Number IRF7832TRPBF —
FET Type N-Channel —
Technology HEXFET (trench MOSFET) IR HEXFET Generation V
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.0 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical 1.0 V to 2.5 V —
Total Gate Charge (Qg) typical 34 nC —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Faixa de temperatura de operação -55 C to +150 C (TJ) -55C to +150C (TJ)
Encapsulamento 8-SO (SOIC-8) 8-SO (SOIC-8)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) MSL-1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Configuration — Dual N-Channel + P-Channel (Complementary)
Polarity — N+P
Continuous Drain Current (N-channel, TA=25C) — 4 A
Continuous Drain Current (P-channel, TA=25C) — 3 A
On-Resistance (N-channel, max) — 50 mOhm
On-Resistance (P-channel, max) — [DATA_NEEDED: RDS(on) P-channel value]
Power Dissipation (TA=25C) — 1.4 W
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value]
Lead-Free Status — Yes (TRPBF suffix = Pb-free)
Packaging — Tape & Reel

Fichas técnicas e recursos

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