IRF7854TRPBF vs IPT012N08NF2SATMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IPT012N08NF2SATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF IPT012N08NF2SATMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $3,74
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 PG-HSOF-8-10 (HSOF)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) Trench MOSFET (OptiMOS-derived)
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT012N08NF2SATMA1
Product Family — StrongIRFET™
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 351 A
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Température de jonction en fonctionnement — -55 °C to +175 °C
Pin Count (incl. tab) — 9 pins (8+tab)
Statut RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fiches techniques et ressources

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