IRF7854TRPBF vs IPT012N08NF2SATMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon e IPT012N08NF2SATMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
IPT012N08NF2SATMA1 IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 - 80V, 1.2mΩ N-Channel MOSFET | Infineon

IPT012N08NF2SATMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7854TRPBF IPT012N08NF2SATMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $3,74
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulamento SO-8 PG-HSOF-8-10 (HSOF)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) Trench MOSFET (OptiMOS-derived)
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IPT012N08NF2SATMA1
Product Family — StrongIRFET™
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta — 39 A
Pulsed Drain Current (IDM) at Tc — 351 A
On-Resistance RDS(on) Typ @ VGS=10V — 1.2 mΩ
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) Max — 3.8 V
Power Dissipation (PD) at Ta — 3.8 W
Power Dissipation (PD) at Tc — 300 W
Temperatura de junção de operação — -55 °C to +175 °C
Pin Count (incl. tab) — 9 pins (8+tab)
Status RoHS — Compliant
Packing — Tape & Reel (T/R)

Fichas técnicas e recursos

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