IRF7854TRPBF vs IRFH5301TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et IRFH5301TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF7854TRPBF | IRFH5301TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,48 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25°C | 2.5 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 13.4 mΩ | — |
| Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max | 4.9 V | — |
| Total Gate Charge Qg | 27 nC | — |
| Boîtier | SO-8 | PQFN (5x6 mm) Single Die |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (planar N-channel) | HEXFET (StrongIRFET) |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +150°C (TJ) | -55C to +150C (junction) |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Qualification | JEDEC industrial, Normal level | JEDEC standard |
| Solder Process | Reflow and wave-solderable | — |
| Gate Drive Voltage (recommended) | 10 V | — |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 30 V |
| Continuous Drain Current (TA, 25C) | — | 35 A |
| Continuous Drain Current (TC, 25C) | — | 100 A |
| RDS(on) Max @ VGS=10V | — | 1.85 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 37 nC (typical) |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Gate Drive Logic Level | — | Optimized for 5 V VGS drive |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |