IRF7854TRPBF vs IRFH5301TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF7854TRPBF メーカー: Infineon および IRFH5301TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF7854TRPBF IRFH5301TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.48 $0.36
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
パッケージ SO-8 PQFN (5x6 mm) Single Die
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) HEXFET (StrongIRFET)
動作温度範囲 -55°C to +150°C (TJ) -55C to +150C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level JEDEC standard
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (TA, 25C) — 35 A
Continuous Drain Current (TC, 25C) — 100 A
RDS(on) Max @ VGS=10V — 1.85 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value]
Total Gate Charge (Qg) — 37 nC (typical)
Power Dissipation (TA) — 3.6 W
Power Dissipation (TC) — 110 W
Gate Drive Logic Level — Optimized for 5 V VGS drive
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

データシート&リソース

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