IRF7854TRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF7854TRPBF par Infineon et ISA150233C03LMDSXTMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF7854TRPBF ISA150233C03LMDSXTMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,48 $0,61
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Boîtier SO-8 PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 3 trench MOSFET
Plage de température de fonctionnement -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P)
N-channel Continuous Drain Current (Ta) — 7.6 A
N-channel Continuous Drain Current (Tc) — 10.2 A
P-channel Continuous Drain Current (Ta) — 6.6 A
P-channel Continuous Drain Current (Tc) — 8.8 A
Total Power Dissipation (Ta) — 1.4 W
Total Power Dissipation (Tc) — 2.5 W
Marking Code — 1523C03L
Channel Type — N-channel + P-channel enhancement mode
Statut RoHS — Compliant

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