IRF7854TRPBF vs ISA150233C03LMDSXTMA1 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRF7854TRPBF por Infineon e ISA150233C03LMDSXTMA1 por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Infineon
ISA150233C03LMDSXTMA1 ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 - 30V OptiMOS 3 Dual N+P MOSFET | Infineon

ISA150233C03LMDSXTMA1 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRF7854TRPBF ISA150233C03LMDSXTMA1
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,48 $0,61
FET Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 80 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25°C 10 A —
Power Dissipation (PD) at Ta=25°C 2.5 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 13.4 mΩ —
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) max 4.9 V —
Total Gate Charge Qg 27 nC —
Encapsulamento SO-8 PG-DSO-8-920 (SO-8 with thermal pad)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (planar N-channel) OptiMOS 3 trench MOSFET
Faixa de temperatura de operação -55°C to +150°C (TJ) -55 C to +150 C (junction)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Qualification JEDEC industrial, Normal level —
Solder Process Reflow and wave-solderable —
Gate Drive Voltage (recommended) 10 V —
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 3
Configuration — Dual N-channel + P-channel (1 N + 1 P)
N-channel Continuous Drain Current (Ta) — 7.6 A
N-channel Continuous Drain Current (Tc) — 10.2 A
P-channel Continuous Drain Current (Ta) — 6.6 A
P-channel Continuous Drain Current (Tc) — 8.8 A
Total Power Dissipation (Ta) — 1.4 W
Total Power Dissipation (Tc) — 2.5 W
Marking Code — 1523C03L
Channel Type — N-channel + P-channel enhancement mode
Status RoHS — Compliant

Fichas técnicas e recursos

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