IRF8736TRPBF vs IRF7832TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF8736TRPBF par Infineon et IRF7832TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF8736TRPBF IRF7832TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,27 $0,92
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 20 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
Boîtier SO-8 (8-SO, MS-012AA) 8-SO (SOIC-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
Niveau MSL 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
Statut RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes

Fiches techniques et ressources

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