IRF8736TRPBF vs IRF7832TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRF8736TRPBF メーカー: Infineon および IRF7832TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRF8736TRPBF IRF7832TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.27 $0.92
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET / HEXFET HEXFET (trench MOSFET)
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 18 A 20 A
Power Dissipation (PD) Max at TA=25C 2.5 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max 4.8 mOhm at VGS = 10V —
Gate Charge (Qg) Typical 17 nC —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] —
パッケージ SO-8 (8-SO, MS-012AA) 8-SO (SOIC-8)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C (TJ)
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) —
MSLレベル 1 (per JEDEC J-STD-020) 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated Yes (fully characterized avalanche voltage) —
Configuration Single —
Packaging Tape & Reel (TRPBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRF7832TRPBF
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 4.0 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/- 20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) typical — 1.0 V to 2.5 V
Total Gate Charge (Qg) typical — 34 nC
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W
RoHS ステータス — Compliant
Lead-Free — Yes

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼