IRF8736TRPBF vs IRFR5305TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRF8736TRPBF par Infineon et IRFR5305TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRF8736TRPBF | IRFR5305TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,27 | $0,32 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | StrongIRFET / HEXFET | HEXFET (IR MOSFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 30 V | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 18 A | — |
| Power Dissipation (PD) Max at TA=25C | 2.5 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) Max | 4.8 mOhm at VGS = 10V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 17 nC | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | -2 V to -4 V |
| Boîtier | SO-8 (8-SO, MS-012AA) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C (junction) | -55 C to +175 C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant) | — |
| Niveau MSL | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 |
| Avalanche Rated | Yes (fully characterized avalanche voltage) | — |
| Configuration | Single | — |
| Packaging | Tape & Reel (TRPBF suffix) | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 31 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | — | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | — | 65 mOhm |
| Gate Charge (Qg) Typ | — | [DATA_NEEDED: Qg typ] |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 110 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 270 mJ |
| Statut RoHS | — | Compliant (Pb-free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |