IRF9952TRPBF vs IRF7907TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9952TRPBF par Infineon et IRF7907TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9952TRPBF IRF7907TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,32 $0,43
Polarity / Configuration Complementary N-Channel + P-Channel, dual MOSFET array —
N-Channel VDS (Drain-Source Voltage) 30 V —
P-Channel VDS (Drain-Source Voltage) -30 V —
N-Channel Continuous Drain Current (ID) 3.5 A —
P-Channel Continuous Drain Current (ID) 2.3 A —
N-Channel R_DS(on) max 0.10 ohm (at VGS = 10 V) —
P-Channel R_DS(on) max 0.25 ohm (at VGS = -10 V) —
Total Package Power Dissipation (PD) 2 W —
Technology IR MOSFET / Fifth Generation HEXFET IR MOSFET (Infineon hexfet-style trench)
Boîtier 8-pin SOIC (SO-8), surface mount 8-SOIC (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -55C to +150C (junction) -55 C to +150 C
Statut RoHS Compliant (Pb-free, indicated by PBF suffix) Compliant
Tape and Reel Packaging Yes (TRPBF suffix) —
Qualification Consumer market —
Configuration — Dual N-Channel MOSFET Array
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) Max — 9.1 A per channel at 25 C
Pulsed Drain Current (IDM) Max — 11 A
On-Resistance (RDS(on)) Max — 11.8 mOhm at VGS = 10 V
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — 1.35 V (typ)
Total Power Dissipation (PD) Max — 2 W
Lead-Free Status — Yes (PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)
Channel Polarity — N-Channel (both)

Fiches techniques et ressources

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