IRF9Z34NPBF vs IRF4905PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRF9Z34NPBF par Infineon et IRF4905PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRF9Z34NPBF IRF4905PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,65 $0,95
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage (Vds) -55 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C -19 A —
Pulsed Drain Current (Idm) -72 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C 68 W —
On-Resistance Rds(on) at Vgs=-10V 100 milliohm (typical) —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical/min/max] —
Gate Charge (Qg) 23.3 nC (per Mouser listing) —
Input Capacitance (Ciss) [DATA_NEEDED: Ciss] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) -55 °C to +175 °C (junction)
Boîtier TO-220AB (through-hole, 3-pin) TO-220AB (through-hole)
Type de montage Through Hole Through Hole
Pinout (G-D-S) Pin 1 Gate, Pin 2 Drain (tab), Pin 3 Source —
Technology HEXFET (5th generation) HEXFET (IR MOSFET)
Lead-Free / Halogen-Free Yes (PBF suffix) —
Statut RoHS Compliant —
FET Type — P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -74 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Power Dissipation (PD) at TC — 200 W
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V — 20 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/range]
Total Gate Charge (Qg) — 120 nC
Pin Configuration — Gate - Drain - Source (left to right)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix = lead-free, RoHS compliant)
Niveau MSL — 1 (not moisture-sensitive for TO-220)

Fiches techniques et ressources

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