IRFB4110PBF vs IRF1010NPBF-VB Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF1010NPBF-VB par VBsemi Elec. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4110PBF IRF1010NPBF-VB
Marque Infineon VBsemi Elec
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $0,25
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through Hole)
Technology HEXFET (planar DMOS) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Configuration — Single FET
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology
Recommended Switching Frequency — Below 100 kHz
Market Qualification — Industrial

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