IRFB4110PBF vs IRF1010NPBF-VB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFB4110PBF por Infineon e IRF1010NPBF-VB por VBsemi Elec. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

VBsemi Elec
IRF1010NPBF-VB IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB - 55V 85A N-Channel Power MOSFET | VBsemi

IRF1010NPBF-VB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro IRFB4110PBF IRF1010NPBF-VB
Marca Infineon VBsemi Elec
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,55 $0,25
Tipo de transistor N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Temperatura de junção de operação -55 °C to +175 °C —
Encapsulamento TO-220AB (through-hole) TO-220AB (Through Hole)
Technology HEXFET (planar DMOS) —
Tipo de montagem Through Hole Through Hole
Status RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant (Pb-free suffix)
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) —
Transistor Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage VDSS — 55 V
Continuous Drain Current ID — 85 A (Tc)
Power Dissipation PD — 180 W (Tc)
On-Resistance RDS(on) — 0.014 Ohm (14 mOhm)
Total Gate Charge Qg — 80 nC
Gate-Source Voltage VGSS — +/-20 V
Operating Mode — Enhancement
Number of Channels — 1
Configuration — Single FET
Process Technology — Planar HEXFET, Advanced Process Technology
Recommended Switching Frequency — Below 100 kHz
Market Qualification — Industrial

Fichas técnicas e recursos

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