IRFB4110PBF vs IRF150P220AKMA1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4110PBF par Infineon et IRF150P220AKMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4110PBF IRF150P220AKMA1
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,55 $3,55
Type de transistor N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 120 A (bond-wire limited) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 4.5 mΩ —
On-Resistance RDS(on) typ at VGS=10V 3.7 mΩ —
Power Dissipation (PD) at TC=25°C 370 W —
Température de jonction en fonctionnement -55 °C to +175 °C —
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-247-3 (PG-TO247-3)
Technology HEXFET (planar DMOS) StrongIRFET
Type de montage Through Hole Through Hole
Statut RoHS Compliant (Pb-free suffix) Compliant
Lead-Free Yes (PBF suffix denotes Pb-free) Yes
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRF150P220AKMA1
Drain-Source Voltage (VDS max) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 203 A
On-Resistance (RDS(on) max) at VGS=10V — 2.7 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS max) — [DATA_NEEDED: VGS max]
Gate Threshold Voltage (VGS(th) typ) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typ]
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 556 W
Power Dissipation (Pd) at Ta=25C — 3.8 W
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C
Terminal Finish — Tin (Sn)
JESD-609 Code — e3

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