IRFB4310PBF vs IRFS7440TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB4310PBF par Infineon et IRFS7440TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB4310PBF IRFS7440TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,95 $0,98
Type de transistor N-Channel MOSFET —
Technology HEXFET (IR MOSFET) MOSFET (Metal Oxide Semiconductor)
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 130 A 120 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=100C [DATA_NEEDED: ID at Tc=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Maximum Power Dissition (PD) at Tc=25C 300 W —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 7 mOhm —
On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V 5.6 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS maximum rating] —
Total Gate Charge (Qg) 170 nC 90 nC (typical)
Threshold Voltage VGS(th) typ [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
Plage de température de fonctionnement -55C to +175C (junction) [DATA_NEEDED: junction temperature range]
Boîtier TO-220AB (through-hole) TO-263 (D2PAK), surface mount
Type de montage Through Hole Surface Mount
Avalanche Rated Yes —
Statut RoHS Compliant Compliant (lead-free)
Lead-Free Yes (Pb-free PBF suffix) —
Manufacturer — Infineon Technologies
Series — StrongIRFET
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 208 W
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 2.5 mOhm
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (normal level)
Operating Frequency Range (optimized) — <100 kHz
Qualification — JEDEC standard

Fiches techniques et ressources

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