IRFB7545PBF vs IRFH5015TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFB7545PBF par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFB7545PBF IRFH5015TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,95 $0,62
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRFB7545PBF —
Technology StrongIRFET™ (HEXFET, N-Channel) IR MOSFET (HEXFET)
Polarity N-Channel —
VDS (Drain-Source Voltage) max 60 V —
VGS (Gate-Source Voltage) max ±20 V —
RDS(on) max at VGS=10V 5.9 mOhm —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 95 A —
Pulsed Drain Current (IDM) 380 A —
Single-Pulse Avalanche Current (IAS) 57 A —
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 125 W —
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) 1.0 C/W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier TO-220AB (Through-Hole) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
Type de montage Through Hole (THT) Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-Free, PBF suffix) —
Niveau MSL N/A (Through-Hole) —
Gate Drive Voltage (typical) 10 V —
Avalanche Energy Rated Yes —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Total Gate Charge (Qg) — 33 nC
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
Température de fonctionnement — -55C to +150C (TJ max)
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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