IRFH8201TRPBF vs IRFH5020TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFH8201TRPBF par Infineon et IRFH5020TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFH8201TRPBF | IRFH5020TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $0,36 |
| FET Type | N-Channel | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Technology | StrongIRFET (trench MOSFET) | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 49 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 100 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 324 A | 63 A |
| RDS(on) max at VGS=10V | 0.95 mOhm | 55 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1.35 V max | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 56 nC at VGS=10V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 7.33 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 850 pF | — |
| Power Dissipation (TA) | 3.6 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 156 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +150C | -55 °C to +150 °C (TJ max) |
| Boîtier | SuperSO8 5x6 (PQFN-8) with exposed pad | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | 1 (per industry standard for PQFN-8) |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Product Family | — | HEXFET Power MOSFET |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | — | 5.1 A |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Charge (Qg) typ | — | 11 nC |
| Power Dissipation (TA=25°C) | — | 3.6 W |
| Dissipation de puissance (TC=25°C) | — | 8.3 W |
| Thermal Resistance, Junction-to-PCB (RthJB) | — | 0.8 °C/W |
| Package Type | — | 8-PQFN (5x6 mm) SuperSO8 |
| Profile Height | — | ≤ 0.9 mm |
| Qualification Standard | — | JEDEC (Normal level) |
| Gate Drive Optimization | — | 10 V VGS |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Pb-free suffix PBF) |