IRFP3710PBF vs IRFB4020PBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFP3710PBF par Infineon et IRFB4020PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFP3710PBF | IRFB4020PBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,86 | $1,38 |
| Manufacturer | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) | — |
| Series | HEXFET, Fifth Generation | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 57 A (Tc) | — |
| Power Dissipation (PD) | 200 W (Tc) | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 25 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typical | 66.7 nC | — |
| Gate-to-Source Voltage Max | ±20 V | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C (Tj) | — |
| Boîtier | TO-247AC (3-pin + tab) | TO-220AB (through-hole) |
| Type de montage | Through Hole | Through Hole |
| Avalanche Rating | Fully Avalanche Rated | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt Rated | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Technology | IR MOSFET (HEXFET) | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 18 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 100 W |
| RDS(on) Maximum | — | 100 mOhm |
| Gate-Source Voltage (VGS) Maximum | — | 20 V |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | — | 1.43 C/W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | 175 C (max) |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| Lead-Free (PbF suffix) | — | Yes |
| Market Qualification | — | Consumer |
| Recommended Use | — | Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications |