IRFR2405TRPBF vs IRFR1018ETRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR2405TRPBF par Infineon et IRFR1018ETRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR2405TRPBF | IRFR1018ETRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,61 | $0,36 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Status | Active | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | 16 mOhm | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 70 nC | 46 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | 110 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (D-Pak) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab | — |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Lead-Free PBF suffix) | Compliant |
| Sans halogène | [DATA_NEEDED: halogen-free status] | — |
| Avalanche Rated | Yes (100% avalanche tested) | Yes |
| Drain-to-Source Voltage (Vdss) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 79 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (Idm) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Rds(on) Max @ Vgs=10V | — | 8.4 mΩ |
| Rds(on) Max @ Vgs=4.5V | — | [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 2.0 V to 4.0 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | [DATA_NEEDED: Crss] |
| Maximum Power Dissipation (Pd) | — | 110 W (Tc) |
| Plage de température de fonctionnement | — | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free | — | Yes |