IRFR2405TRPBF vs IRFR1018ETRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR2405TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR1018ETRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRFR2405TRPBF IRFR1018ETRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.61 $0.36
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Status Active —
FET Type N-Channel N-Channel
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET
Drain-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 16 mOhm —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] —
Total Gate Charge (Qg) 70 nC 46 nC
Power Dissipation (PD) at Tc=25C 110 W —
동작 접합 온도 -55C to +175C —
패키지 TO-252AA (DPAK) TO-252AA (D-Pak)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Gate, Drain, Source) + Tab —
MSL 레벨 1 1
RoHS 상태 Compliant (Lead-Free PBF suffix) Compliant
할로겐 프리 [DATA_NEEDED: halogen-free status] —
Avalanche Rated Yes (100% avalanche tested) Yes
Drain-to-Source Voltage (Vdss) — 60 V
Continuous Drain Current (Id) — 79 A (Tc)
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Rds(on) Max @ Vgs=10V — 8.4 mΩ
Rds(on) Max @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 2.0 V to 4.0 V
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — [DATA_NEEDED: Crss]
Maximum Power Dissipation (Pd) — 110 W (Tc)
동작 온도 범위 — -55 °C to +175 °C
Lead-Free — Yes

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