IRFR3411TRPBF vs IRFR4105TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3411TRPBF par Infineon et IRFR4105TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3411TRPBF IRFR4105TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,55 $0,58
Polarity N-Channel —
FET Type MOSFET (Metal Oxide) —
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) 100 V —
RDS(on) max @ VGS=10V 44 mOhm —
Continuous Drain Current (Id) @ Tc 32 A —
Pulsed Drain Current (Idm) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (Pd) @ Tc 130 W —
Gate Charge (Qg) 48 nC —
Operating Mode Enhancement —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +175C
Boîtier TO-252AA (DPAK) TO-252AA (DPAK)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Nombre de broches 3 —
Technology HEXFET Power MOSFET (IR) HEXFET (5th generation IR MOSFET)
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) —
dv/dt Rating Dynamic dv/dt rated —
Lead-Free / RoHS Yes (Lead-free, PBF suffix) —
Type de transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS max) — 55 V
Continuous Drain Current (I_D at Tc) — 27 A
On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) — 45 milliohm
Gate-Source Voltage (V_GS max) — 20 V
Total Gate Charge (Q_G) — 22.7 nC
Power Dissipation (P_D at Tc) — 68 W
Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value]
Statut RoHS — Compliant (lead-free, PBF suffix)
Packaging Type — Tape and Reel (TRPBF)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Avalanche Energy (E_AS) — [DATA_NEEDED: E_AS rating]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis