IRFR3411TRPBF vs IRFR4105TRPBF 비교
다음의 상세 나란히 비교: IRFR3411TRPBF 제조: Infineon 및 IRFR4105TRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IRFR3411TRPBF | IRFR4105TRPBF |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.55 | $0.58 |
| Polarity | N-Channel | — |
| FET Type | MOSFET (Metal Oxide) | — |
| V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) | 100 V | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 44 mOhm | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 32 A | — |
| Pulsed Drain Current (Idm) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 130 W | — |
| Gate Charge (Qg) | 48 nC | — |
| Operating Mode | Enhancement | — |
| Maximum Junction Temperature | 175 C | — |
| 동작 온도 범위 | -55 C to +175 C | -55C to +175C |
| 패키지 | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 핀 수 | 3 | — |
| Technology | HEXFET Power MOSFET (IR) | HEXFET (5th generation IR MOSFET) |
| Avalanche Rated | Yes (fully avalanche rated) | — |
| dv/dt Rating | Dynamic dv/dt rated | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (Lead-free, PBF suffix) | — |
| 트랜지스터 유형 | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS max) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (I_D at Tc) | — | 27 A |
| On-Resistance (R_DS(on) max at V_GS=10V) | — | 45 milliohm |
| Gate-Source Voltage (V_GS max) | — | 20 V |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | 22.7 nC |
| Power Dissipation (P_D at Tc) | — | 68 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th) typ) | — | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical value] |
| RoHS 상태 | — | Compliant (lead-free, PBF suffix) |
| Packaging Type | — | Tape and Reel (TRPBF) |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| Avalanche Energy (E_AS) | — | [DATA_NEEDED: E_AS rating] |