IRFR3710ZTRPBF vs IRLU024NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3710ZTRPBF par Infineon et IRLU024NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3710ZTRPBF IRLU024NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,42 $0,61
FET Type N-Channel N-Channel, Logic-Level
Drain-Source Voltage (VDS) 100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A 17 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=100C [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed IDM] [DATA_NEEDED: IDM]
Gate-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] —
Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V 18 mOhm —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 140 W 45 W
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Technology HEXFET (IR MOSFET) HEXFET Power MOSFET (5th generation)
Boîtier TO-252AA (DPAK) IPAK (TO-251AA), Through Hole
Type de montage Surface Mount Through Hole
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Manufacturer — Infineon Technologies (formerly International Rectifier)
Part Number — IRLU024NPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 55 V
On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 65 mOhm
On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V]
Gate Threshold Voltage VGS(th) — [DATA_NEEDED: VGS(th) min/typ/max]
Total Gate Charge (Qg) — 10 nC (typical, per listing)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) — 3.3 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) — 110 C/W (50 C/W PCB-mounted)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix indicates lead-free plating)
Qualification — JEDEC standard
Gate Drive Voltage (optimized) — 10 V (capable of 4.5 V)

Fiches techniques et ressources

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