IRFR3806TRPBF vs IRFR220NTRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3806TRPBF par Infineon et IRFR220NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Infineon
IRFR220NTRLPBF IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF - 200V 5A N-Ch MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR220NTRLPBF ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR3806TRPBF IRFR220NTRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,52 $0,22
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
Boîtier / Format TO-252AA (DPAK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C -55C to +150C (junction)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) Yes (HEXFET ruggedized design)
Polarity — N-Channel
Mode — Enhancement
V(BR)DSS (Drain-Source Breakdown Voltage) — 200 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 5 A
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) — 0.800 ohm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th)]
Gate-to-Drain Charge (Qgd) — Low (per datasheet - HEXFET design)
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 43 W
Boîtier — TO-252AA (DPAK), 2 Leads + Tab, SC-63
Niveau MSL — 1
Statut RoHS — Compliant (Pb-free PBF suffix)
Packaging — Tape & Reel (Left orientation - TRLPBF)
Technology Family — HEXFET, Planar, Generation 3

Fiches techniques et ressources

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