IRFR3806TRPBF vs IRFR3607TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR3806TRPBF par Infineon et IRFR3607TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR3806TRPBF | IRFR3607TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,52 | $0,39 |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 43 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max | 15.8 mOhm at VGS = 10 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 22 nC | 56 nC |
| Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C | 71 W | — |
| Boîtier / Format | TO-252AA (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | IR HEXFET (planar DMOS) |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention) |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/- 20 V | — |
| Number of Units in IC | 1 | — |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix, lead-free) | — |
| Avalanche Rated | Yes (HEXFET family) | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 75 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 56 A |
| Calculated Die Drain Current | — | 80 A |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 4 V |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) Max | — | +/-20 V |
| Power Dissipation (PD, Tc) | — | 140 W |
| Thermal Resistance (RthJC) | — | 1.0 C/W |
| Boîtier | — | TO-252AA (DPAK) |
| Avalanche SOA | — | Fully characterized |
| RoHS / Lead-Free | — | Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3) |