IRFR3806TRPBF vs IRFR3607TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR3806TRPBF メーカー: Infineon および IRFR3607TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

仕様比較

パラメータ IRFR3806TRPBF IRFR3607TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.52 $0.39
Transistor Polarity N-Channel —
MOSFET Operating Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 43 A —
On-State Resistance RDS(on) max 15.8 mOhm at VGS = 10 V —
Total Gate Charge (Qg) 22 nC 56 nC
Power Dissipation (Pd) at Tc = 25 C 71 W —
パッケージ / ケース TO-252AA (DPAK) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (IR MOSFET) IR HEXFET (planar DMOS)
動作温度範囲 -55 C to +175 C -55C to +175C (TJ max 175C per datasheet convention)
Gate-Source Voltage (VGS) max +/- 20 V —
Number of Units in IC 1 —
Lead-Free / RoHS Yes (PBF suffix, lead-free) —
Avalanche Rated Yes (HEXFET family) —
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 75 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 56 A
Calculated Die Drain Current — 80 A
On-State Resistance (RDS(on)) — 9 mOhm @ VGS=10V, ID=46A
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 4 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) Max — +/-20 V
Power Dissipation (PD, Tc) — 140 W
Thermal Resistance (RthJC) — 1.0 C/W
パッケージ — TO-252AA (DPAK)
Avalanche SOA — Fully characterized
RoHS / Lead-Free — Compliant / Pb-free (PBF suffix, JESD-609 e3)

データシート&リソース

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