IRFR5305TRPBF vs IRFR2405TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5305TRPBF par Infineon et IRFR2405TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5305TRPBF | IRFR2405TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,61 |
| Polarity | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | 31 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=100C | [DATA_NEEDED: ID at TC=100C] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) Max at VGS=-10V | 65 mOhm | — |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | -2 V to -4 V | — |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: Qg typ] | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 110 W | — |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | 270 mJ | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 C to +175 C | — |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK) | TO-252AA (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | HEXFET (IR MOSFET) | HEXFET (IR MOSFET) |
| Niveau MSL | 1 | 1 |
| Statut RoHS | Compliant (Pb-free PBF suffix) | Compliant (Lead-Free PBF suffix) |
| Lead-Free Finish | Yes (PBF suffix) | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C | — | 56 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 16 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 5V] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 70 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25C | — | 110 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Nombre de broches | — | 3 (Gate, Drain, Source) + Tab |
| Sans halogène | — | [DATA_NEEDED: halogen-free status] |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |