IRFR5410TRPBF vs IRFR5305TRLPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5410TRPBF par Infineon et IRFR5305TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFR5410TRPBF IRFR5305TRLPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,71 $0,38
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC = 25 °C -13 A —
Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max at VGS = -10 V 205 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) max ±20 V ±20 V
Total Gate Charge (Qg) typ 70 nC —
Boîtier TO-252AA (DPAK), surface mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Power Dissition (PD) at TC = 25 °C 66 W —
Plage de température de fonctionnement -55 °C to +150 °C (TJ) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Technology HEXFET (advanced process, Gen 5) HEXFET fifth-generation planar MOSFET
Avalanche Rated Yes (fully avalanche rated) Yes (fully avalanche rated)
Lead-Free / RoHS Status Lead-free, RoHS compliant (PBF suffix) —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] —
RDS(on) Test Conditions VGS = -10 V, ID = -7.0 A —
Polarity / Channel Type — P-Channel
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max at VGS=-10V — 65 mΩ
RDS(on) max at VGS=-5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=-5V]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) range]
Power Dissipation (PD) at Tc=25C — 110 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free, suffix "PBF")
Tape & Reel Orientation — Left orientation (TRLPBF = Tape & Reel, Left)

Fiches techniques et ressources

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