IRFR5505TRLPBF vs IRFR5505TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR5505TRLPBF par Infineon et IRFR5505TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR5505TRLPBF | IRFR5505TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,38 | $0,48 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | -55 V | — |
| VGS (Gate-Source Voltage) | [DATA_NEEDED: VGS max rating] | — |
| Continuous Drain Current (ID) | -18 A (Tc) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | -72 A |
| On-Resistance RDS(on) max | 110 mOhm (VGS = -10 V) | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 21.3 nC | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | 57 W (Tc = 25 °C) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55 °C to +175 °C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | [DATA_NEEDED: RθJC] | — |
| Technology | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) | IR MOSFET (HEXFET 5th generation) |
| Boîtier | TO-252AA (DPAK), surface mount | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / RoHS | Yes (PBF suffix) | — |
| Niveau MSL | 1 | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies (formerly International Rectifier) |
| Series | — | HEXFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | -18 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | +/-20 V |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | — | 110 mOhm |
| Gate-Source Charge (Qgs) | — | [DATA_NEEDED: Qgs] |
| Gate-Drain Charge (Qgd) | — | [DATA_NEEDED: Qgd] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Rise Time (tr) | — | [DATA_NEEDED: tr] |
| Fall Time (tf) | — | [DATA_NEEDED: tf] |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 57 W |
| Température de jonction en fonctionnement | — | -55 C to +175 C |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC) | — | 2.2 C/W |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA) | — | 50 C/W (typical, DPAK on 1 oz copper) |
| Statut RoHS | — | Compliant (PBF suffix) |
| Lead-Free | — | Yes (PBF suffix) |