IRFR7546TRPBF vs IRFH5015TRPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR7546TRPBF par Infineon et IRFH5015TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR7546TRPBF | IRFH5015TRPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,62 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | StrongIRFET | IR MOSFET (HEXFET) |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | 60 V | — |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | 20 V (max) | — |
| Drain Current (ID) at TC=25C | 71 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) | 56 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM] | — |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 7.9 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg total] | 33 nC |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 99 W | — |
| Température de jonction en fonctionnement | -55C to +175C | — |
| Boîtier | DPAK (TO-252AA) | 8-PQFN (5x6) SuperSO8 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Lead-Free / PBF | Yes (TRPBF suffix) | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Avalanche Energy (EAS) | [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 150 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | — | 10 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 56 A |
| On-Resistance (RDS(on)) max | — | 31 mOhm |
| Power Dissipation (TA=25C) | — | 3.6 W |
| Power Dissipation (TC=25C) | — | 156 W |
| Gate Drive Voltage (VGS recommended) | — | 10 V |
| Configuration | — | Single with built-in body diode |
| Température de fonctionnement | — | -55C to +150C (TJ max) |