IRFR7546TRPBF vs IRFH5015TRPBF 比較

詳細な並列比較: IRFR7546TRPBF メーカー: Infineon および IRFH5015TRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRFR7546TRPBF IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF - 60V StrongIRFET N-MOSFET, DPAK | Infineon

IRFR7546TRPBF ✓ 生産中
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IRFH5015TRPBF IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF - 150V N-Ch 31mOhm HEXFET MOSFET | Infineon

IRFH5015TRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRFR7546TRPBF IRFH5015TRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.62 $0.62
FET Type N-Channel N-Channel
Technology StrongIRFET IR MOSFET (HEXFET)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) 20 V (max) —
Drain Current (ID) at TC=25C 71 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C (bond-wire limited) 56 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM] —
RDS(on) max @ VGS=10V 7.9 mOhm —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] 33 nC
Power Dissipation (PD) at TC=25C 99 W —
動作接合温度 -55C to +175C —
パッケージ DPAK (TO-252AA) 8-PQFN (5x6) SuperSO8
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / PBF Yes (TRPBF suffix) —
RoHS ステータス Compliant Compliant
Avalanche Energy (EAS) [DATA_NEEDED: EAS single-pulse] —
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL rating] —
Drain-Source Voltage (VDS) — 150 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 10 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 56 A
On-Resistance (RDS(on)) max — 31 mOhm
Power Dissipation (TA=25C) — 3.6 W
Power Dissipation (TC=25C) — 156 W
Gate Drive Voltage (VGS recommended) — 10 V
Configuration — Single with built-in body diode
動作温度 — -55C to +150C (TJ max)

データシート&リソース

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