IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRFR9024NTRLPBF par Infineon et IRFR5505TRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRFR9024NTRLPBF | IRFR5505TRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,32 | $0,38 |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| MOSFET Operating Mode | Enhancement | Enhancement |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -55 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | -11 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V | 175 mOhm | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | 38 W | — |
| Gate Charge (Qg) typical | 12.7 nC | — |
| Package Type | TO-252AA (DPAK) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Nombre de broches | 3 (Drain, Gate, Source + Tab) | — |
| Technology | HEXFET (Generation 5) | IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5) |
| Plage de température de fonctionnement | -55C to +175C | -55 °C to +175 °C |
| Lead-Free / RoHS | Yes (LPBF suffix) | Yes (PBF suffix) |
| Reel Orientation | Left (TRL suffix) | — |
| VDS (Drain-Source Voltage) | — | -55 V |
| VGS (Gate-Source Voltage) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Continuous Drain Current (ID) | — | -18 A (Tc) |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: IDM] |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 110 mOhm (VGS = -10 V) |
| Total Gate Charge (Qg) | — | 21.3 nC |
| Power Dissipation (PD) | — | 57 W (Tc = 25 °C) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: RθJC] |
| Boîtier | — | TO-252AA (DPAK), surface mount |
| Niveau MSL | — | 1 |