IRFR9024NTRLPBF vs IRFR5505TRLPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRFR9024NTRLPBF 제조: Infineon 및 IRFR5505TRLPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IRFR9024NTRLPBF IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF - 55V P-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRFR9024NTRLPBF ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IRFR9024NTRLPBF IRFR5505TRLPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.32 $0.38
Polarity P-Channel P-Channel
MOSFET Operating Mode Enhancement Enhancement
Drain-Source Voltage (VDS) -55 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -11 A —
On-Resistance RDS(on) max at VGS=-10V 175 mOhm —
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 38 W —
Gate Charge (Qg) typical 12.7 nC —
Package Type TO-252AA (DPAK) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 3 (Drain, Gate, Source + Tab) —
Technology HEXFET (Generation 5) IR MOSFET™ (HEXFET® generation 5)
동작 온도 범위 -55C to +175C -55 °C to +175 °C
Lead-Free / RoHS Yes (LPBF suffix) Yes (PBF suffix)
Reel Orientation Left (TRL suffix) —
VDS (Drain-Source Voltage) — -55 V
VGS (Gate-Source Voltage) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Continuous Drain Current (ID) — -18 A (Tc)
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: IDM]
On-Resistance RDS(on) max — 110 mOhm (VGS = -10 V)
Total Gate Charge (Qg) — 21.3 nC
Power Dissipation (PD) — 57 W (Tc = 25 °C)
Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) — [DATA_NEEDED: RθJC]
패키지 — TO-252AA (DPAK), surface mount
MSL 레벨 — 1

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