IRFZ48NSTRLPBF vs IRFZ24NPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRFZ24NPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ48NSTRLPBF IRFZ24NPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,46
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V 55 V
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 13.3 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C -55C to +175C
Boîtier D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-220AB (through hole)
Type de montage Surface Mount Through Hole
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Statut RoHS Compliant Compliant
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 17 A
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ± 20 V
RDS(on) at VGS=10V — 70 mOhm (max)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 45 W
Technology — HEXFET planar cell
Switching Frequency Range — Optimized for < 100 kHz
Lead-Free — Yes (PBF suffix)
Qualification — JEDEC standard
Channel Mode — Enhancement

Fiches techniques et ressources

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