IRFZ48NSTRLPBF vs IRLR3410TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFZ48NSTRLPBF par Infineon et IRLR3410TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFZ48NSTRLPBF IRLR3410TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,18 $0,81
FET Type N-Channel Power MOSFET N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) 55 V —
Continuous Drain Current (ID) @ Tc=25C 64 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Static Drain-to-Source On-Resistance (Rds(on)) 14 mΩ at VGS = 10 V —
Gate-to-Source Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 4.0 V —
Total Gate Charge (Qg) 54 nC 22.7 nC
Gate-to-Source Voltage (VGS) max ±20 V —
Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C 130 W —
Power Dissipation (Pd) @ Ta=25C on FR-4 3.8 W —
Température de jonction en fonctionnement -55C to +175C —
Boîtier D2PAK (TO-263) Surface Mount TO-252AA (DPAK), surface mount
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel (13-inch reel, TRL) —
Lead Finish Lead-free (PBF) matte tin —
Statut RoHS Compliant —
Technology Family HEXFET advanced process technology —
Technology — HEXFET (IR MOSFET, 5th generation)
Drain-Source Voltage (Vdss) — 100 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc=25C — 17 A
Power Dissipation (Pd) at Tc=25C — 79 W
On-Resistance RDS(on) max — 105 mOhm
Gate Threshold Voltage Vgs(th) — Logic-level (drive ~4.5V)
Plage de température de fonctionnement — -55C to +175C (junction)
Lead-Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
Niveau MSL — 1 (unlimited floor life at <30C/85% RH)
Drain Tab Connection — Tab electrically tied to Drain
Polarity — N-Channel enhancement mode

Fiches techniques et ressources

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