IRL40S212ARMA1 vs IPD320N20N3GATMA1 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRL40S212ARMA1 par Infineon et IPD320N20N3GATMA1 par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Infineon
IPD320N20N3GATMA1 - 200V 34A OptiMOS3 N-Channel MOSFET | Infineon
IPD320N20N3GATMA1 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | IRL40S212ARMA1 | IPD320N20N3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,31 | $1,34 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | StrongIRFET™ | — |
| Type de transistor | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 200 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 195 A | 34 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 1.9 mOhm max | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | [DATA_NEEDED: VGS max] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typ] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc) | 231 W | 136 W |
| Plage de température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: Tj max] | -55 C to +175 C (Tj) |
| Boîtier | PG-TO263-3 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | StrongIRFET™ (planar N-channel) | OptiMOS 3 |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Niveau MSL | 1 (unlimited) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 32 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Charge x RDS(on) FOM | — | Excellent (per datasheet) |
| Lead Plating | — | Pb-free |
| RoHS Compliance | — | Compliant |
| JEDEC Qualification | — | Qualified for target application |
| Channel Mode | — | Enhancement mode |
| Gate Threshold Level | — | Normal level (per datasheet title) |