IRL540NSTRLPBF vs IRFR120NTRLPBF Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de IRL540NSTRLPBF par Infineon et IRFR120NTRLPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | IRL540NSTRLPBF | IRFR120NTRLPBF |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | Infineon |
| Catégorie | MOSFETs | MOSFETs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,51 | $0,62 |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | 36 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=10V | 44 mΩ | — |
| On-Resistance (RDS(on)) max @ VGS=5V | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=5V] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±16 V | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | Logic-level | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Gate Charge (Qg) | 49.3 nC | 16.7 nC |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 140 W | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25°C | 3.8 W | — |
| Plage de température de fonctionnement | -55°C to +175°C | — |
| Boîtier | TO-263 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Avalanche Energy Rated | Yes (single-pulse) | Yes (fully avalanche rated) |
| Statut RoHS | Compliant (LPBF suffix indicates lead-free) | Compliant |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| Technology | — | IR MOSFET (HEXFET) |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 9.4 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 210 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at TC=25C | — | 48 W |
| Plage de température de jonction en fonctionnement | — | -55C to +175C |
| Lead-Free Finish | — | Yes (Pb-free) |