IRLB4132PBF vs IRFB4020PBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRLB4132PBF par Infineon et IRFB4020PBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRLB4132PBF IRFB4020PBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $1,38
Manufacturer Infineon Technologies (formerly International Rectifier) —
Type de transistor N-Channel MOSFET (HEXFET) —
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 200 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 78 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Maximum Power Dissipation (PD, Tc=25C) 140 W —
On-Resistance (RDS(on), VGS=10V) 3.5 mOhm (typical) —
On-Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typical) 1.0 V to 2.5 V —
Gate Charge (Qg, typical) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Maximum Junction Temperature 175 C —
Plage de température de fonctionnement -55 C to +175 C —
Boîtier / Format TO-220AB (through-hole, 3 leads) —
Type de montage Through Hole Through Hole
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free PBF suffix) —
AEC-Q101 Automotive Qualification Not qualified (industrial/commercial) —
FET Type — N-Channel
Technology — IR MOSFET (HEXFET)
Continuous Drain Current (ID) at TC — 18 A
Power Dissipation (PD) at TC — 100 W
RDS(on) Maximum — 100 mOhm
Gate-Source Voltage (VGS) Maximum — 20 V
Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) — 1.43 C/W
Température de jonction en fonctionnement — 175 C (max)
Boîtier — TO-220AB (through-hole)
Nombre de broches — 3 (Gate, Drain, Source)
Lead-Free (PbF suffix) — Yes
Market Qualification — Consumer
Recommended Use — Class-D audio amplifier and high-efficiency switching applications

Fiches techniques et ressources

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